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凯联资本布局国产DRAM龙头耐心资本兑现成果

时间:2026-07-27     【转载】


2026年7月27日

喜报

2026年7月27日,凯联资本前瞻战略布局企业长鑫科技(688825.SH)在上交所科创板正式挂牌上市,以579.19亿元募资总额创下科创板IPO募资纪录。



本次上市不只是国内硬科技标志性资本事件,更是我国DRAM存储产业历经十年自主攻坚,完整走完技术突破、产能落地、盈利闭环全周期的里程碑节点,清晰勾勒国产存储打破海外寡头垄断、推进半导体产业均衡自主发展的完整脉络。



01

全球DRAM寡头垄断格局下国产存储实现从0到1生存突围




存储芯片是集成电路市场规模最大的细分赛道,整体市场规模约占全球芯片市场25%;行业长期维持高度寡头垄断格局。依据长鑫科技招股书引用Omdia 2025年第四季度销售额口径数据:三星电子、SK海力士、美光科技三家厂商合计占据全球DRAM营收份额91.85%,其中三星33.96%、SK海力士34.48%、美光23.41%;海外头部企业依托成熟先进工艺、海量核心专利构筑极高行业准入壁垒。

在长鑫科技实现规模化DRAM量产前,依据海关总署历年集成电路进口统计数据,我国存储芯片年度进口规模长期维持千亿美元级别;存储板块是国内半导体内需规模最大细分领域,庞大终端市场需求与供应链高度对外依赖形成长期结构性矛盾。

历经十年持续技术攻坚,长鑫科技率先完成DDR4自主规模化量产,并持续迭代DDR5、LPDDR5高端存储产品;根据招股书财务数据,公司2025年实现全年归母净利润18.75亿元,正式扭亏为盈。Omdia 2025年第四季度销售额统计显示,长鑫科技全球DRAM市场份额达7.67%,位列全球第四大DRAM原厂,同时是中国大陆唯一具备DRAM完整IDM自研制造能力的企业,彻底终结本土动态内存芯片完全依赖海外进口的产业局面。

本次科创板挂牌,标志着国产存储正式跨越“有无”的生存阶段,进入对标国际头部企业、追求高质量发展的全新周期,亦是资本市场对国内超高门槛硬科技赛道实现自主站稳脚跟的权威背书。




02

资本与技术双轮共振驱动国产半导体全链条生态迭代




存储芯片兼具技术密集、资本密集双重属性,单座12英寸存储晶圆厂资本开支可达百亿美元量级,叠加长周期研发投入、高额前期沉没成本,行业发展高度依赖具备长期风险承受能力的耐心资本。凯联资本等机构对长鑫科技开展早期战略布局,核心践行优质价值投资逻辑,不以热潮套利为目标,持续承接技术迭代周期风险,换取产业链自主可控的长期战略收益。

长鑫科技成功登陆A股,一方面拓宽企业中长期持续融资渠道;另一方面向全市场验证,深耕底层核心自研是突破海外技术封锁的核心路径,同时成为A股市场从单一“融资功能”向实体硬科技“价值投资市场”转型的典型实践样本。

根据招股书公开披露,本次IPO募集资金明确投向三大核心方向:高端存储产品研发、现有12英寸DRAM产线工艺升级、HBM高带宽内存前沿技术布局;从募资资金明细测算,本次发行对应募集资金中约七成资金将用于半导体制造设备采购。持续产能扩张将催生千亿级本土设备、材料采购需求,为国产刻蚀设备、薄膜沉积设备、大尺寸硅片、电子特气等上游配套企业提供大规模工艺验证场景。

依据国内半导体产业权威调研机构公开数据:当前国内存储上游配套材料整体国产化率区间为25%-29%,光刻胶、高端电子特气等先进制程核心配套环节国产化率不足10%。长鑫科技大规模量产落地,将推动本土零部件、材料厂商从单机小批量试用,转向整线适配深度验证,稳步提升存储全产业链自主配套比例。

下游产业端,长鑫科技叠加深耕NAND闪存的长江存储、NOR闪存龙头兆易创新,国内三大存储原厂完整格局正式成型;江波龙、佰维存储等国内存储模组企业,可降低海外原厂供货配额约束。云服务商、智能汽车、消费电子终端厂商能够搭建国内外双供给体系,有效对冲行业周期波动、地缘贸易摩擦带来的断供风险。

与此同时,具备稳定盈利能力的存储制造龙头登陆科创板,重塑科创板硬科技估值框架,市场投资重心逐步脱离题材炒作,转向掌握底层核心技术、能够持续产生正向经营性现金流的硬核科创企业。




03

正视长期差距与行业挑战从单点突破迈向完整产业重构




上市是国产存储产业全新发展起点,而非发展终点;高端工艺代差、行业周期性波动、海外巨头持续竞争压制,仍是本土存储产业需要长期应对的核心挑战。

AI算力核心载体HBM高带宽内存,目前仅三星、SK海力士、美光三家海外厂商具备稳定规模化量产能力,可批量交付HBM3E、HBM4产品;长鑫科技现阶段处于第三代HBM样品验证、小批量试产筹备阶段。结合头部券商联合产业实地调研测算,长鑫在先进堆叠工艺、堆叠良率、带宽性能、全球头部客户认证体系层面,相较国际头部厂商存在3-4年综合代差;除此之外,DDR5先进制程迭代、低功耗调校、车规级存储可靠性等细分领域,仍存在显著追赶空间。

即便长鑫科技持续推进产能爬坡,短期仍难以撼动全球DRAM寡头垄断基本格局:海外三大巨头可通过主动产能调控、周期价格竞争、核心专利壁垒持续抬高行业准入门槛;叠加存储行业天然供需周期性波动,产品量价持续起伏,将长期考验本土企业成本管控、中长期产能规划能力。

在地缘环境复杂多变的背景下,存储芯片自主化是我国数字经济供应链安全的核心抓手。海关总署公开数据显示,我国集成电路年度进口总额常年高于原油进口规模,存储芯片是其中核心占比品类。长鑫科技实现国产化核心突破,首要产业价值是补齐集成电路产业链关键短板,为消费电子、服务器、AI大模型、智能汽车等万亿级下游产业筑牢自主可控硬件底座。单一存储品类的国产替代,能够同步带动光刻设备、特种电子气体、封装材料等整条上游供应链同步迭代升级,释放产业乘数效应。




长远来看,本次上市将加速长鑫科技产能扩充与前沿技术攻坚,联动上下游完善国内存储产业内循环体系:一方面削弱全球存储价格周期波动对国内电子制造业的冲击;另一方面为AI算力时代争夺HBM高端存储全球话语权搭建完整本土产业底座。依托持续资本加持、国内海量算力内需支撑,本土存储整体自给率将稳步提升。国产存储产业自主化无法一蹴而就,唯有坚持长期稳定研发投入、循序渐进补齐全链条技术短板,搭建兼具抗周期风险、高效协同能力的本土存储产业集群,才能逐步瓦解全球存储寡头垄断格局,夯实我国数字经济底层硬件安全根基。



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